Санкции подталкивают CXMT к переходу на память с вертикальными транзисторами — Samsung и SK hynix не торопятся

Американские санкции подталкивают китайскую CXMT к ускоренному переходу на более плотную архитектуру ячеек DRAM 4F2, чтобы конкурировать с Samsung и SK hynix. Пока южнокорейские производители могут повышать плотность…

Источник: 3DNews